Urządzenia wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne 101: Zagrożenia, testowanie wrażliwości, obsługa i ochrona

Co to jest urządzenie wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne (ESD)? Urządzenie wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne (ESD) odnosi się do elementów elektronicznych podatnych na uszkodzenia spowodowane wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD). Urządzenia te mogą zostać uszkodzone przez nagłe skoki napięcia spowodowane elektrycznością statyczną. Nawet wyładowania o niskiej energii (np. kilkaset woltów) mogą obniżyć wydajność lub spowodować natychmiastową awarię. Jakie urządzenia są wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne? Typowe urządzenia wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne obejmują:, układy scalone (IC): mikroprocesory, układy pamięci (np. RAM, Flash) i bramki logiczne (np. CMOS, TTL), tranzystory: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) i BJT (Bipolar Junction Transistors),,Diody,: Diody LED (Light-Emitting Diodes) i diody laserowe.,Czujniki precyzyjne,: Czujniki obrazu (np. CCD, CMOS) i czujniki MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems).,Komponenty analogowe,: Wzmacniacze operacyjne (Op-Amps) i regulatory napięcia,,Półprzewodniki dyskretne,: Tyrystory i IGBT (tranzystory bipolarne z izolowaną bramką),,Elementy pasywne z zaawansowanymi funkcjami,: Rezystory cienkowarstwowe i kondensatory wysokiej częstotliwości.,Urządzenia te są bardzo podatne na uszkodzenia spowodowane wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) ze względu na ich małe, delikatne struktury wewnętrzne.,W jaki sposób urządzenie wrażliwe na ESD może zostać uszkodzone przez ESD?,Rozpad tlenków bramki MOSFET,ESD uszkadza wrażliwe urządzenia poprzez impulsy wysokiego napięcia/prądu generowane podczas wyładowań elektrostatycznych. Kluczowe mechanizmy obejmują:, Przeciążenie termiczne: Gwałtowny transfer energii topi lub odparowuje drobne ścieżki przewodzące (np. złącza tranzystorów), powodując trwałe uszkodzenie.,,Przerwanie izolacji,: Wysokie napięcie przebija cienkie warstwy dielektryczne (np. tlenki bramek MOSFET), tworząc zwarcia lub wycieki.,,Wstrzyknięcie ładunku,: Ładunek statyczny zmienia właściwości półprzewodnika, pogarszając wydajność (np. przesunięte progi w układach logicznych CMOS): Częściowe uszkodzenie może osłabić komponenty, prowadząc do przedwczesnej awarii podczas pracy.,,Nawet niskoenergetyczne wyładowania (np. <100V) mogą uszkodzić nowoczesną elektronikę w nanoskali.,,Podczas transportu urządzeń wrażliwych na wyładowania elektrostatyczne z jednego obiektu do drugiego, należy używać?,,Aby bezpiecznie transportować i przechowywać urządzenia wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne, należy używać worków ekranujących, przewodzącej pianki lub uziemionych pojemników bezpiecznych dla wyładowań elektrostatycznych. Utrzymuj kontrolę wilgotności, unikaj stresu fizycznego i oznaczaj opakowania, aby zapewnić zgodność ze standardami ESD, takimi jak, &, IEC-61340-5-3-2022, Jakie jest minimalne napięcie wyładowania elektrostatycznego (ESD), które może uszkodzić urządzenia wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne?, Urządzenia wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne mogą ulec uszkodzeniu przy napięciu tak niskim jak 20 woltów, niezauważalnym dla ludzi. Zaawansowane komponenty, takie jak układy scalone lub tranzystory MOSFET, są podatne na uszkodzenia nawet przy niższych poziomach.,,Jak obsługiwać urządzenia wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne?,,Obsługa urządzeń wrażliwych na wyładowania elektrostatyczne wymaga kompleksowego zrozumienia materiałów, z którymi pracujesz, a zwłaszcza ich podatności na wyładowania elektrostatyczne (ESD). Sukces opiera się na określeniu, które urządzenia są najbardziej wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne, a także na ocenie ich poziomów podatności. Wiąże się to z zapoznaniem się z modelem ludzkiego ciała (HBM) i modelem naładowanego urządzenia (CDM), ocenami wrażliwości wszystkich urządzeń w obiekcie. Jedną z najczęstszych przyczyn zdarzeń ESD jest bezpośrednie przeniesienie ładunku elektrostatycznego z ludzkiego ciała na urządzenie ESDS. Symulator naśladuje ten scenariusz, symulując przepływ wyładowania elektrostatycznego od opuszka palca stojącej osoby do urządzenia. Oto jak to działa: kondensator 100 pF jest ładowany przez rezystor o wysokiej rezystancji (zwykle w zakresie megaomów) za pomocą przełącznika. Zgromadzony ładunek rozładowuje się przez rezystor 1500 omów podłączony szeregowo do testowanego urządzenia. Urządzenie jest następnie uziemiane lub spada do stanu niskiego potencjału. Ta metoda, znormalizowana w

ESD sensitive device, are refer to electronic components vulnerable to to damage from wyładowania elektrostatyczne (ESD). These devices can be impaired by sudden voltage spikes caused by static electricity. Even low-energy discharges (e.g., a few hundred volts) may degrade performance or cause immediate failure.

What devices are ESD sensitive?

Common ESD-sensitive devices include:

  1. Integrated Circuits (ICs): Microprocessors, memory chips (e.g., RAM, Flash), and logic gates (e.g., CMOS, TTL).
  2. Transistors: MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) and BJTs (Bipolar Junction Transistors).
  3. Diodes: LEDs (Light-Emitting Diodes) and laser diodes.
  4. Precision Sensors: Image sensors (e.g., CCD, CMOS) and MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) sensors.
  5. Analog Components: Operational amplifiers (Op-Amps) and voltage regulators.
  6. Discrete Semiconductors: Thyristors and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors).
  7. Passive Components with Advanced Features: Thin-film resistors and high-frequency capacitors.

These devices are highly susceptible to damage from electrostatic discharge (ESD) due to their small, delicate internal structures.

How can ESD sensitive device be damaged by ESD?

MOSFET gate oxides Breakdown
MOSFET gate oxides breakdown

ESD damages sensitive devices through high-voltage/current pulses generated during electrostatic discharge. Key mechanisms include:

  1. Thermal Overstress: Rapid energy transfer melts or vaporizes tiny conductive paths (e.g., transistor junctions), causing permanent failure.
  2. Insulation Breakdown: High voltage punctures thin dielectric layers (e.g., MOSFET gate oxides), creating short circuits or leakage.
  3. Charge Injection: Static charge alters semiconductor properties, degrading performance (e.g., shifted thresholds in CMOS logic).
  4. Wady ukryte: Partial damage may weaken components, leading to premature failure during operation.

Even low-energy discharges (e.g., <100V) can harm modern nanoscale electronics.

When transporting ESD sensitive devices from one facility to another facility, use?

To safely transport and store ESD-sensitive devices, use static-shielding bags, conductive foam, or grounded ESD-safe containers. Maintain humidity control, avoid physical stress, and label packages to ensure compliance with ESD standards such as ANSI/ESD S541 & IEC-61340-5-3-2022 .

What is the minimum electrostatic discharge (ESD) voltage that can damage ESD-sensitive devices?

ESD-sensitive devices can sustain damage from voltages as low as 20 volts, imperceptible to humans. Advanced components, like integrated circuits or MOSFETs, are vulnerable even at lower levels.

How to handle ESD sensitive devices?

Handling ESD sensitive devices requires a comprehensive understanding of the materials you’re working with, particularly their vulnerability to electrostatic discharge (ESD). A successful Program kontroli ESD is built on identifying which devices are the most sensitive to ESD, as well as assessing their susceptibility levels. This involves familiarizing yourself with the Human Body Model (HBM) and the Charged Device Model (CDM) sensitivity ratings of all the equipment in your facility.

Human Body Model (HBM)

One of most common causes of ESD event is the direct transfer of electrostatic charge from the human body to the ESDS Device. The Human Body Model (HBM) mimics this scenario by simulating how electrostatic discharge flows from the fingertip of a standing individual to a device. Here’s how it works:

Typical (simplified) Human Body Model Circuit
  1. A 100 pF capacitor is charged through a high-resistance resistor (typically in the megohm range) using a switch.
  2. The stored charge discharges through a 1,500-ohm resistor connected in series to the test device.
  3. The device is then grounded or drops to a low-potential state.

This method, standardized in ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024,(Electrostatic Discharge Sensitivity Testing - Human Body Model), zapewnia spójną ocenę odporności komponentu na zdarzenia ESD wywołane przez człowieka.,,Inną główną przyczyną uszkodzeń ESD jest naładowanie samego urządzenia podczas procesów produkcyjnych lub obsługi, co może prowadzić do szybkiego rozładowania, gdy wejdzie ono w kontakt z przewodzącą powierzchnią o niższym potencjale. The,replicates this phenomenon by simulating the rapid discharge of accumulated static charge from a charged component to a grounded surface,,Here's how it works:,,Charging Phase,: Urządzenie nabywa ładunek elektrostatyczny poprzez tarcie lub kontakt z materiałami izolacyjnymi (np. opakowania, przenośniki), działając jak jedna płytka kondensatora. Przechowywany ładunek zależy od pojemności właściwej urządzenia (zwykle 10-200 pF) i warunków środowiskowych. Faza rozładowania: Gdy styk naładowanego urządzenia styka się z uziemionym przewodnikiem, zmagazynowana energia rozładowuje się gwałtownie przez styk. Wyładowanie to generuje ekstremalnie wysokie prądy szczytowe (do 20 kA) w ciągu nanosekund ze względu na minimalną rezystancję i indukcyjność na ścieżce. Konfiguracja testu: Testowanie CDM ocenia odporność urządzenia poprzez ładowanie go do określonego napięcia (np. 250-1000 V zgodnie z ANSI/ESDA/JEDEC JS-002) i wyzwalanie rozładowania przez ścieżkę o niskiej rezystancji. Konfiguracja testowa uwzględnia orientację urządzenia, typ opakowania i pojemność pasożytniczą. 10 krytycznych wskazówek dotyczących obsługi urządzeń wrażliwych na wyładowania elektrostatyczne, Obsługa urządzeń wrażliwych na wyładowania elektrostatyczne (ESD) wymaga szczególnej uwagi, aby zapobiec uszkodzeniom. Oto dziesięć krytycznych wskazówek, które zapewnią bezpieczną obsługę:,,Używaj bezpiecznych miejsc pracy ESD,,Zawsze pracuj w obszarze chronionym przed wyładowaniami elektrostatycznymi (EPA) wyposażonym w maty antystatyczne i uziemione powierzchnie robocze oraz odpowiednie,,Noś bezpieczny strój ESD,,Używaj antystatycznych,,pasków na piętę i skarpet ESD, aby zapobiec gromadzeniu się ładunków elektrostatycznych na ciele,Prawidłowe uziemienie, podłącz antystatyczny pasek na nadgarstek do uziemionego punktu przed przystąpieniem do obsługi urządzeń wrażliwych na wyładowania elektrostatyczne, trzymaj urządzenia za krawędzie, unikaj bezpośredniego dotykania styków, złączy lub obwodów. Trzymaj komponenty za krawędzie, aby zminimalizować ryzyko wyładowań elektrostatycznych.,Używaj opakowań bezpiecznych dla wyładowań elektrostatycznych,Przechowuj i transportuj urządzenia wrażliwe na wyładowania elektrostatyczne w antystatycznych torbach, przewodzącej piance lub ekranowanych pojemnikach.,Kontroluj poziom wilgotności,Utrzymuj wilgotność względną na poziomie 30-70% w obszarze roboczym, aby zmniejszyć gromadzenie się ładunków elektrostatycznych.,Używaj jonizatorów do neutralizacji,Stosuj jonizatory do neutralizacji ładunków elektrostatycznych na nieprzewodzących powierzchniach i materiałach w EPA...,Codzienne sprawdzanie urządzeń uziemiających ESD, codzienne sprawdzanie osobistych systemów uziemiających, aby upewnić się, że działają prawidłowo., Unikanie materiałów wysokostatycznych, trzymanie tworzyw sztucznych, winylu i innych materiałów wysokostatycznych z dala od urządzeń i obszarów roboczych wrażliwych na wyładowania elektrostatyczne., Ograniczenie ruchu w EPA, zminimalizowanie niepotrzebnego ruchu w EPA w celu zmniejszenia generowania elektryczności statycznej spowodowanej tarciem lub prądami powietrza., Rozbicie tlenków bramki MOSFET, typowy (uproszczony) obwód modelu ludzkiego ciała, typowy test modelu naładowanego urządzenia. (Electrostatic Discharge Sensitivity Testing – Human Body Model), ensures consistent evaluation of a component’s resistance to human-triggered ESD events.

Charged Device Model (CDM)

Another major cause of ESD damage is the device itself becoming charged during manufacturing or handling processes, which can lead to rapid discharge when it comes into contact with a conductive surface at a lower potential. The Charged Device Model (CDM) replicates this phenomenon by simulating the rapid discharge of accumulated static charge from a charged component to a grounded surface.
Here’s how it works:

Typical Charged Device Model Test
  1. Charging Phase: The device acquires electrostatic charge through friction or contact with insulating materials (e.g., packaging, conveyors), acting as one plate of a capacitor. The stored charge depends on the device’s inherent capacitance (typically 10–200 pF) and environmental conditions.
  2. Discharge Phase: When a charged device’s pin contacts a grounded conductor, the stored energy discharges abruptly through the pin. This discharge generates extremely high peak currents (up to 20 kA) within nanoseconds due to minimal resistance and inductance in the path.
  3. Test Configuration: CDM testing evaluates a device’s resilience by charging it to a defined voltage (e.g., 250–1000 V per ANSI/ESDA/JEDEC JS-002) and triggering discharge through a low-resistance path. The test setup accounts for device orientation, package type, and parasitic capacitance.

10 critical tips for handling ESD sensitive devices

Handling Electrostatic Discharge (ESD) sensitive devices requires careful attention to prevent damage. Here are ten critical tips to ensure safe handling:

  1. Use ESD-Safe Workspaces
    Always work in an ESD-protected area (EPA) equipped with anti-static mats & Podłogi ESD, grounded work surfaces, and proper Symbole ESD.
  2. Wear ESD-Safe Attire
    Use anti-static paski na nadgarstki, heel straps, and ESD smocks to prevent static buildup on your body.
  3. Ground Yourself Properly
    Connect your anti-static wrist strap to a grounded point before handling any ESD-sensitive devices.
  4. Handle Devices by the Edges
    Avoid touching pins, connectors, or circuitry directly. Hold components by their edges to minimize ESD risk.
  5. Use ESD-Safe Packaging
    Store and transport ESD-sensitive devices in anti-static bags, conductive foam, or shielded containers.
  6. Control Humidity Levels
    Maintain a relative humidity of 30-70% in the workspace to reduce static electricity buildup.
  7. Use Ionizers for Neutralization
    Employ ionizers to neutralize static charges on non-conductive surfaces and materials in the EPA.
  8. Daily Check ESD Grounding Devices
    Użycie Tester ESD combo to check personal grounding systems daily, ensure they are functioning correctly.
  9. Avoid High-Static Materials
    Keep plastics, vinyl, and other high-static materials away from ESD-sensitive devices and work areas.
  10. Limit Movement in EPA
    Minimize unnecessary movement in the EPA to reduce the generation of static electricity caused by friction or air currents.

Powiązane artykuły

pl_PLPL